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G3VM-21AR/21DR MOS FET歐姆龍繼電器

小型DIP4針封裝,實(shí)現(xiàn)與機(jī)械式繼電器相當(dāng)?shù)牡蛯?dǎo)通電阻、高容量開關(guān)的MOS FET繼電器負(fù)載電壓 30V 連續(xù)負(fù)載電流 4A(最大)

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形狀	接點(diǎn)結(jié)構(gòu)	負(fù)載電壓 (最大) *	連續(xù)負(fù)載電流 (最大) *	包裝狀態(tài)/桿狀			包裝狀態(tài)/帶狀
				型號(hào)		最小包裝單位(個(gè))	型號(hào)	最小包裝單位(個(gè))
				印刷基板用端子	表面安裝端子	最小包裝單位(個(gè))	表面安裝端子	最小包裝單位(個(gè))
DIP4	1a	20 V	3 A	G3VM-21AR	---	100	---	---

* 連續(xù)負(fù)載電流 (最大)、負(fù)載電壓 (最大) : 表示峰值A(chǔ)C、 DC。
注1. 帶狀包裝（表面安裝端子型）無標(biāo)準(zhǔn)在庫機(jī)種。
注2. 帶狀包裝（表面安裝端子型）的訂貨請?jiān)谛吞?hào)末尾加上（TR）或（TR05）。

絕對最大額定值 (Ta = 25oC)

項(xiàng)目		符號(hào)	定值	單位	條件
輸入側(cè)	LED正向電流	I_F	30	mA
	重復(fù)峰值LED 正向電流	I_FP	1	A	100μs脈沖、100pps
	直流正向電流降低比率	△I_F/℃	?0.3	mA/°C	Ta ≥ 25°C
	LED反向電壓	V_R	5	V
	粘合部位溫度	T_J	125	°C
輸出側(cè)	負(fù)載電壓(峰值A(chǔ)C/DC)	V_OFF	20	V
	連續(xù)負(fù)載電流(峰值A(chǔ)C/DC)	I_O	3	A
	導(dǎo)通電流降低比率	△I_O/℃	?30	mA/°C	Ta ≥ 25°C
	脈沖導(dǎo)通電流	Iop	9	A	t = 100 ms, Duty = 1/10
	粘合部位溫度	T_J	125	°C
輸入輸出間耐電壓(注1)		V_I-O	2,500	Vrms	AC持續(xù)1分鐘
使用環(huán)境溫度		Ta	-40 ~ +85	°C	無結(jié)冰、無結(jié)露
保存溫度		Tstg	?55 ~ +125	°C	無結(jié)冰、無結(jié)露
焊接溫度條件		—	260	°C	10 s

(注1): 測量輸入輸出間的耐電壓時(shí), 分別對LED針腳、受光側(cè)針腳統(tǒng)一地施加電壓。

電氣性能 (Ta = 25oC)

項(xiàng)目		符號(hào)	最小	標(biāo)準(zhǔn)	最大	單位	條件
輸入側(cè)	LED正向電壓	V_F	1.18	1.33	1.48	V	I_F?= 10 mA
	反向電流	I_R	---	---	10	μA	V_R?= 5 V
	端子間電容	C_T	---	70	---	pF	V = 0, f = 1 MHz
	觸發(fā)LED正向電流	I_FT(IFC)	---	0.7	3	mA	I_O?= 1 A
	復(fù)位LED正向電流	I_FC(IFC)	0.1	0.1	---	mA	I_OFF?= 10 μA
輸出側(cè)	最大輸出導(dǎo) 通電阻	R_ON	---	40	80	mΩ	I_F?= 5 mA, t < 1s, I_O?=2 A
	開路時(shí)漏電流	I_LEAK	---	---	1	μA	V_OFF=20V
	端子間電容	C_OFF	---	300	---	pF	V = 0, f = 1 MHz
輸入輸出間電容		C_I-O	---	0.8	---	pF	f = 1 MHz, V_S?= 0 V
輸出輸入間電容絕緣電阻		R_I-O	1000	10⁸	---	MΩ	V_I-O?= 500 VDC, R_OH ≤ 60%
動(dòng)作時(shí)間		t_ON	---	1	5	ms	I_F?= 5 mA, R_L?= 200 Ω, V_DD?= 20 V(注2)
復(fù)位時(shí)間		t_OFF	---	0.3	1	ms	I_F?= 5 mA, R_L?= 200 Ω, V_DD?= 20 V(注2)